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副边25W开关电源芯片 SF5920
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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原边10W开关电源芯片 U6117SA
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原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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原边25W开关电源芯片 SF6771T
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原边反馈/外置MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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副边60W开关电源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
启动电流
逐周期电流限制,
内置斜率补偿
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原边6W开关电源芯片 U6117S
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效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置快速动态响应控制，无异音工作
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置MOSFET,内置短路保护
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原边12W开关电源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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原边6W开关电源芯片 U6215
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效率满足六级能效要求
内置700V 功率三极管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置三极管,内置短路保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
OTP过温保护
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副边65W开关电源芯片 SF5533
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副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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副边18W开关电源芯片 SF5549H
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副边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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原边5W开关电源芯片 SF6022
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置反馈脚(FB)短路保护
±4％恒压恒流精度，支持高50V 输出电压
内置快速动态响应控制，无异音工作，
内置专利的线损电压补偿，提高量产精度
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
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原边15W开关电源芯片 SF5938S
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置反馈脚(FB)短路保护
内置专利的线损补偿,提高量产精度
内置快速动态响应控制
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
支持高50V 输出电压
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原边13W开关电源芯片 SF6773V
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
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隔离36W开关电源芯片 SFL950
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提高系统效率，异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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副边50W开关电源芯片 SF5773
品牌：银联宝电子更多 +
型号：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒压精度。
副边反馈/外驱MOSFET
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
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副边15W开关电源芯片 SF5539H
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效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
- [公司新闻]25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B输出可选5V、9V、12V2025年06月13日 10:44
- 同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！ 同步整流芯片U7612B是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片处于
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- [公司新闻]氮化镓电源芯片U8722CAS打嗝模式实现噪音和纹波最优化2025年06月12日 10:58
- 打嗝模式本质为电源保护机制（如短路保护），优化需在保障可靠性的前提下进行。高频噪声问题需协同芯片设计、封装工艺及PCB布局综合解决。氮化镓电源芯片U8722CAS采用了打嗝噪音优化技术，可自适应的调节打嗝VSKIP_OUT的阈值，实现噪音和纹波的最优化！ 氮化镓电源芯片U8722CAS在轻载和空载状态下，当FB管脚电压低于VSKIP_IN (典型值 0.4V)时，系统进入打嗝模式工作，停止开关动作。当FB电压超过VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V)时，芯片重新开始
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- [公司新闻]U8722SP+U7715A——PD20W单压认证款氮化镓电源应用方案2025年06月09日 14:17
- PD20W单压认证款氮化镓电源应用方案规格参数： 输入规格：175V-264V 50Hz 输出规格：C 口 PD20W：5V3A 、9V2.22A 、12V1.67A 芯片型号：主控氮化镓电源芯片-U8722SP、同步整流芯片-U7715A、协议-XPD317 主控氮化镓电源芯片U8722SP特色： 1、集成 700V E-GaN 2、集成高压启动功能 3、超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4、谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 5、集成
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- [公司新闻]低静态电流快充电源芯片U8621功耗低、待机长2025年06月06日 14:57
- 静态电流是指芯片在不进行任何操作时的电流消耗，如果静态电流低，说明芯片在待机状态下消耗的电能非常少。这种特性使得芯片特别适用于需要长时间运行且耗电量要求较低的场合，如便携式充电器和需要长时间待机的适配器等设备。快充电源芯片U8621的启动电流低至10uA，启动电路的电阻值可以高达4M，这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流低至500uA，使得电源系统设计者更加轻松应对能源之星6或者能效6级的能效标准。 ? 快充电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM
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- [公司新闻]45W单压单C氮化镓电源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！ 氮化镓电源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成 Boost 供电电路 集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护 (VDD OV
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