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: 原边15W开关电源芯片U6118

原边反馈/外驱三极管
支持高50V输出电压
内置专利的线损电压补偿，提高量产精度
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，超低启动电流，管脚浮空保护
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: 副边15W开关电源芯片 TB3815

效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
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: 原边12W开关电源芯片 TB6812

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，超低启动电流，管脚浮空保护
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: 副边65W开关电源芯片 TB3865

恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
超低启动电流
逐周期电流限制,
内置斜率补偿
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: 副边90W开关电源芯片TB3890

频率可外部编程，并内置频率抖动改善EMI
副边反馈/外驱MOSFET,超低启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP
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: 原边25W开关电源芯片 TB6825

原边反馈/外驱MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
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: 原边6W开关电源芯片 TB5806

效率满足六级能效要求
内置700V 功率三极管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置三极管,内置短路保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
OTP过温保护
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: 原边12W开关电源芯片 TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，超低启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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: 副边75W开关电源芯片U6101D

频率可外部编程，并内置频率抖动改善EMI
副边反馈/外驱MOSFET,超低启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP
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: 副边75W开关电源芯片U6101S

频率可外部编程，并内置频率抖动改善EMI
副边反馈/外驱MOSFET,超低启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP
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: 原边13W开关电源芯片 U6773S

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，超低启动电流，管脚浮空保护
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: 开关电源芯片U6113

±3%LED恒流精度
恒流输出值可调
1%线电压补偿精度
优异全面地保护功能
过温保护（OTP）
逐周期过流保护（OCP
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: 开关电源芯片U6112

内置650V MOSFET。
LED开路/短路保护。
内置线输入电压恒流补偿。
超低工作电流，4%恒流精底。
内置快速启动电路，超低启动电流，管脚浮空保护。
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: 原边18W开关电源芯片 U6217S

原边反馈/内置MOSFET
内置环路补偿，省去额外的补偿或滤波电容
提高系统效率优化降频曲线和减小电磁干扰，可实现轻载无异音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原边反馈控制（PSR）恒流恒压（CC/CV）控制器
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: 副边150W开关电源芯片 SF5877

副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
效率满足六级能效
输出过压保护（OVP）电压可外部编程
外部编程过温（OTP）保护
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
超低启动电流 <>br/内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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: 原边12W开关电源芯片 U6117D

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
原边反馈,内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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: 原边6W开关电源芯片 SF6772S

效率满足六级能效要求
内置反馈脚（FB）电路保护
原边反馈/内置MOSFET,±5%恒压恒流精度
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，超低启动电流，管脚浮空保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
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: 副边15W开关电源芯片 SF1539HT

内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
副边反馈/内置MOSFET,内置4ms软启动
管脚浮空保护
超低启动电流
内置频率抖动改善EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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: 副边15W开关电源芯片 SF1539

内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
内置4ms软启动
管脚浮空保护
超低启动电流
内置频率抖动改善EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
副边反馈/内置MOSFET,内置前沿消隐
更多 +

: 副边15W开关电源芯片 SF1538

副边反馈/内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
内置4ms软启动
管脚浮空保护
超低启动电流
内置频率抖动改善EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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