- [公司新闻]25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B输出可选5V、9V、12V2025年06月13日 10:44
- 同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！ 同步整流芯片U7612B是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片处于
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- [公司新闻]12v2a快充电源ic U8607完善保护增强防御机制2025年06月12日 14:41
- 电源ic的保护功能，其核心意义在于构建多层次安全防线，确保硬件安全、数据完整及系统可靠性，通过实时监测电流电压，异常时切断电路，减少开关损耗，降低故障率并提升能效。今天介绍的是深圳银联宝科技12v2a快充电源icU8607多种保护功能！ ■ 输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 快充电源icU8607通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP保护阈值VBOP(典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP
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- [公司新闻]银联宝快充电源ic U8731满足快速充电硬核需求2025年06月11日 14:15
- 作为苹果全新打造的iOS操作系统，视觉效果确实令人耳目一新，但新界面所带来的耗电量严重、续航时间缩短、机身发热发烫等问题，让体验感大打折扣。无论系统多么炫酷，对于手机而言，电量是血液，手机充电器则是供血站。还好有深圳银联宝科技带来的，集成GaN FET、带恒功率功能的高性能快充电源icU8731，可以让充电效率翻倍，续航升级，一起看看吧！ E-GaN快充电源icU8731特点： ●集成 700V E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷
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- [公司新闻]20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充电器和适配器等快充设备，需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，集成高压启动、功率器件和保护电路，省去外部Boost/Buck电路及分立元件，缩小PCB面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路，支持宽电压输出，切莫错过！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高压 E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可
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- [公司新闻]45W单压单C氮化镓电源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！ 氮化镓电源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成 Boost 供电电路 集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护 (VDD OV
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料，工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，集成MOS耐压700V，值得一试！ PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示，在启动阶段，U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电
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- [公司新闻]全电压！PD 20W氮化镓电源方案认证款：U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39
- 上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案，立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应，PD 20W氮化镓电源方案全电压认证款：U8722BAS+U7612B方案来咯！ 主控氮化镓电源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8722BAS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能
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- [公司新闻]氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题2025年05月21日 14:36
- 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！ 氮化镓GaN快充芯片U8732特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式，
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- [公司新闻]20W氮化镓电源ic U8722SP谷底锁定模式优化损耗2025年05月15日 14:33
- 谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术，其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源icU8722SP中，谷底锁定及降频工作模式，可以有效避免负载变化时因谷底跳频导致的变压器工作不稳定或噪声问题，延长器件寿命，也为系统效率带来了一定的提升！ 氮化镓电源icU8722SP采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下
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- [公司新闻]45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商，大量投入工程研发以应对各类技术挑战，为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案，今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269！ 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新闻]30W E-GaN高频高性能快充电源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二维电子气结构，能够提供更高的电子迁移率和导电性能，因此适用于高频应用，可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源icU8731，集成700VE-GaN，高频高性能，推荐工作频率130KHz/220KHz，推荐最大输出功率30W，介绍给小伙伴们！ 快充电源icU8731采用的是HSOP-7封装，管脚说明如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能
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- [公司新闻]12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推荐输出功率12V2A、12V3A，非标共板，方案成熟，性能可靠，可满足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。特征如下： *原边反馈控制，无需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驱动 *集成高压启动功能 *
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- [公司新闻]33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片结构的改变，超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低，超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻，能降低损耗，减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8623+U7612B，可显著提升产品的易用性和效率！ 电源管理芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOS。U8623具有全负载高效率、低空载
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率与主动降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味着无论负载变化如何，系统都能保持恒定的输出功率，确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时，主动降功率功能会启动，以降低系统温度，防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能，一起来看看！ 氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。外置温度检测环境温度，当温度过高主动降功率以降低系统温度，保证系统稳定
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- [公司新闻]PD 20W氮化镓单电压应用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳银联宝科技推出的PD20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化镓快充芯片U8722AH特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 5.集
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- [公司新闻]5V2.1A电源方案推荐主控U92143+同步U77102025年04月14日 14:58
- 5V2.1A电源方案推荐深圳银联宝科技的开关电源芯片U92143+同步整流芯片U7710，有兴趣的小伙伴可以来电询问详细资料。今天简单介绍下！ 开关电源芯片U92143是一款高性能、低成本的原边控制功率开关，内置高压功率三极管，可提供高精度恒压和恒流输出性能，尤其适合于小功率离线式充电器应用。采用U92143可以工作无异音，同时可保证优异的动态性能。利用集成的线损补偿功能，可获得高性能的恒压输出表现。 开关电源芯片U92143集成有多种保护功能：如VDD欠压保护(UVLO)
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- [公司新闻]氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号 功率65W2025年04月10日 11:19
- 深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U8722X家族，喜提“芯”成员——U8722FE，推荐最大输出功率65W，集成MOS耐压700V，采用ESOP-7，编带盘装，5000颗/卷，内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。 氮化镓电源芯片U8722FE采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片
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- [公司新闻]高精度高兼容性小家电开关电源芯片U6773S2025年04月02日 14:55
- 小家电作为智能家居的入门级产品，以超高的性价比优势风靡消费市场。得益于国产小家电开关电源芯片的单颗价格成本下降，推动了小家电的迅速普及和销量暴增。预计未来智能家电市场渗透率超60%，将直接带动开关电源芯片市场规模扩张。深圳银联宝科技将持续为您供应优质的开关电源芯片，做好服务，做好支持！ 银联宝今日推荐的开关电源芯片U6773S，在176VAC-265VAC推荐输出15W，在85VAC-265VAC推荐输出12W，高集成度高性价比，不仅内部元器件的品质好，有认证，还具有多模式控
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- [公司新闻]“芯”产品开箱——12v1a充电器芯片U6203D2025年03月21日 14:55
- 华为手机新品Pura X，称为全球首款阔折叠屏手机，折叠起来，就变成小手机，合上很小巧，正面和背面都有屏幕。它还能扩屏使用，横过来用就像平板一样体验。这款新品为折叠屏手机的发展打开了新思路，或许会为未来的手机和手机配件市场注入新活力。深圳银联宝科技一如既往为各位小伙伴提供优质高效的手机充电器芯片，诚意推荐这颗12v1a充电器芯片U6203D！ 12v1a充电器芯片U6203D是一款高度集成的电流模式PWM控制驱动，内置4A高压MOS，适合应用于高性能、低待机功耗、低成本离线
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- [公司新闻]65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766，拥有超低启动和工作电流，可实现小于30mW的超低待机功耗，势如破竹！ 氮化镓快充芯片U8766集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的
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