- [公司新闻]氮化镓电源芯片U8722BAS内置高精度、高可靠性驱动电路2025年07月01日 14:21
- 炎热的夏天,总是需要一些冲散酷暑的小电器,给生活制造惊喜。客户最近热卖的制冷杯,被称为夏日“行走的小冰箱”,受到了许多上班族和户外一族的喜爱,充电部分采用的正是我们深圳银联宝科技研发生产的氮化镓电源芯片。今天就带你一起看看氮化镓电源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧! 氮化镓电源芯片U8722BAS集成高压E-Mode GaN FET,为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率,芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路,驱动电压为VDRV(典型值
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- [公司新闻]耐压700V高频高性能准谐振模式PD快充ic U8726AHE2025年06月30日 14:57
- 准谐振芯片广泛应用于便携式设备、快充产品、USB-PD充电器等领域,特别是在高功率密度、低功耗的设计中表现出色。许多准谐振芯片集成了驱动电路、保护电路等功能,减少了外围元件的数量,简化了系统设计。今日推荐:深圳银联宝科技集成E-GaN的高频高性能准谐振模式PD快充icU8726AHE! ■ 高压启动 PD快充icU8726AHE集成了高压启动功能。如图所示,在启动阶段, U8726AHE通过芯片DRAIN脚对VDD充电, 当VDD电压达到VVDD_ON( 典型值12V)
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- [公司新闻]同步整流ic U7269双LDO供电支持高端应用2025年06月27日 14:40
- 在需要高稳定性的电源应用中,双LDO可以提供更稳定的输出电压,减少单一LDO因负载变化引起的波动。深圳银联宝科技的同步整流icU7269,具有双LDO供电,内置电流源,可以直接并联使用,无需额外的均流电阻。这种设计简化了电路设计,并提高了系统的可靠性! ? 同步整流icU7269采用SOT23-6封装,管脚特征为: 1 Vo I VDD 供电配置引脚,该引脚电压决定了芯片的供电方式 2 GND P IC 参考地 3 RW I 智能开通检测配置引脚 4 VDD P IC 供电引
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- [公司新闻]抗干扰、极简外围的恒压恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天来了,小风扇成了我们手中的避暑神器。在各大购物平台,迷你小风扇的搜索量日益上升,成为酷热高温里的外出必备单品。迷你小风扇的电源配件销量也在猛增。如果你正在找寻一颗优质的充电器芯片,建议了解下深圳银联宝科技的PD快充芯片U8623! PD快充芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源芯片,内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS。U8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于
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- [公司新闻]PD 40W氮化镓快充电源方案:U8725AHE+U7110W2025年06月26日 10:50
- 芯片替代方案在选型时,需要选择比原芯片参数更多或一样的芯片。如果封装能做到pin to pin,则无需更改PCB设计,否则就要重新设计PCB板,替换的步骤和成本将高许多。如果产品更新换代的速度较快,在选型时就要考虑芯片的可升级性,为以后的长远效益做打算。深圳银联宝科技新推出的PD 40W氮化镓快充电源方案U8725AHE+U7110W,正被采用替代市面上常见的一些料号,感兴趣的小伙伴可以多多了解一下! 氮化镓快充芯片U8725AHE集成了高压启动功能。如图所示,在启动阶段,
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- [公司新闻]同步整流芯片U7610X搭配不同主控电源管理芯片方案推介!2025年06月20日 14:39
- 同步整流技术是一种提高电源效率的技术。同步整流技术采用导通电阻极低的功率MOSFET管来代替二极管,以降低整流过程中的能量损耗。深圳银联宝科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充电源方案,降耗提效,效果显著! 同步整流芯片U7610B+U8621,推荐功率22.5W! 电源管理芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片,内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用
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- [公司新闻]PD快充A+C口:30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W2025年06月17日 14:40
- A+C口兼容双接口电路,可满足多设备充电需求,还可以兼容传统USB-A设备,接口互补,场景覆盖广,依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推出的PD快充A+C口:30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W,最大程度简化设计方案,易上手,低成本! 氮化镓电源ICU8722DE采用峰值电流控制模式,可以自适应的工作在QR和降频工作模式,从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下,系统工作在QR工作模式,可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电
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- [公司新闻]25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B输出可选5V、9V、12V2025年06月13日 10:44
- 同一套电源芯片方案,可直接应用于不同的电压输出上,这不仅有效节省成本,更是大大缩短了开发时间,使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B,输出可选5V、9V、12V,注重空间布局和兼容性问题,通过了认证测试,低耗高效,值得推荐! 同步整流芯片U7612B是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关,可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前,芯片处于
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- [公司新闻]12v2a快充电源ic U8607完善保护增强防御机制2025年06月12日 14:41
- 电源ic的保护功能,其核心意义在于构建多层次安全防线,确保硬件安全、数据完整及系统可靠性,通过实时监测电流电压,异常时切断电路,减少开关损耗,降低故障率并提升能效。今天介绍的是深圳银联宝科技12v2a快充电源icU8607多种保护功能! ■ 输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 快充电源icU8607通过DRAIN管脚对母线电压进行采样,当母线电压值小于Line BOP保护阈值VBOP(典型值70Vac)时,芯片内部的Line BOP延迟计时使能,计时时间为TBOP
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- [公司新闻]银联宝快充电源ic U8731满足快速充电硬核需求2025年06月11日 14:15
- 作为苹果全新打造的iOS操作系统,视觉效果确实令人耳目一新,但新界面所带来的耗电量严重、续航时间缩短、机身发热发烫等问题,让体验感大打折扣。无论系统多么炫酷,对于手机而言,电量是血液,手机充电器则是供血站。还好有深圳银联宝科技带来的,集成GaN FET、带恒功率功能的高性能快充电源icU8731,可以让充电效率翻倍,续航升级,一起看看吧! E-GaN快充电源icU8731特点: ●集成 700V E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流,待机功耗 30mW ●谷
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- [公司新闻]20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充电器和适配器等快充设备,需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE,集成高压启动、功率器件和保护电路,省去外部Boost/Buck电路及分立元件,缩小PCB面积;内置高压E-GaN和Boost供电电路,支持宽电压输出,切莫错过! PD快充芯片U8725AHE主要特性: 1.集成 高压 E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流,待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式, 最高工作频率两档可
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- [公司新闻]45W单压单C氮化镓电源方案:主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE,同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能! 氮化镓电源芯片U8722EE特性: 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流,待机功耗30mW 谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成 Boost 供电电路 集成完备的保护功能: VDD过压/欠压保护 (VDD OV
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限,若输入电压超过该值(如动态波动或负载突变),可能引发击穿或永久损坏,直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料,工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关,集成MOS耐压700V,值得一试! PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示,在启动阶段,U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电,当VDD电
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- [公司新闻]全电压!PD 20W氮化镓电源方案认证款:U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39
- 上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案,立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应,PD 20W氮化镓电源方案全电压认证款:U8722BAS+U7612B方案来咯! 主控氮化镓电源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗。U8722BAS的工作频率最高可达220kHz,可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能
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- [公司新闻]氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题2025年05月21日 14:36
- 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比,性能遥遥领先。它支持多种快充协议,如PD、QC等,能够智能识别设备所需的充电功率,实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机,还是笔记本电脑、平板电脑,氮化镓充电器都能轻松应对,一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持,今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732! 氮化镓GaN快充芯片U8732特点: 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流,待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式,
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- [公司新闻]20W氮化镓电源ic U8722SP谷底锁定模式优化损耗2025年05月15日 14:33
- 谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术,其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源icU8722SP中,谷底锁定及降频工作模式,可以有效避免负载变化时因谷底跳频导致的变压器工作不稳定或噪声问题,延长器件寿命,也为系统效率带来了一定的提升! 氮化镓电源icU8722SP采用峰值电流控制模式,可以自适应的工作在QR和降频工作模式,从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下
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- [公司新闻]45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商,大量投入工程研发以应对各类技术挑战,为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案,今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269! 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET,为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率,芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路,驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新闻]30W E-GaN高频高性能快充电源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二维电子气结构,能够提供更高的电子迁移率和导电性能,因此适用于高频应用,可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源icU8731,集成700VE-GaN,高频高性能,推荐工作频率130KHz/220KHz,推荐最大输出功率30W,介绍给小伙伴们! 快充电源icU8731采用的是HSOP-7封装,管脚说明如下: 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能
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- [公司新闻]12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案:U8607/U8609+同步整流芯片U7613,推荐输出功率12V2A、12V3A,非标共板,方案成熟,性能可靠,可满足更高性能要求、更低成本需求! 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制,可节省光耦和TL431,简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET,最高工作频率130kHz,有利于降低电源尺寸。特征如下: *原边反馈控制,无需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驱动 *集成高压启动功能 *
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- [公司新闻]33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片结构的改变,超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低,超结MOS具有极低的内阻,在相同的芯片面积下,超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻,能降低损耗,减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8623+U7612B,可显著提升产品的易用性和效率! 电源管理芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片,内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOS。U8623具有全负载高效率、低空载
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