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[公司新闻]全负载高效率、低空载损耗的充电器芯片U86212024年11月26日 11:18: 超结MOSFET的优势在于其具有高耐压和低电阻的特点。相较于普通高压VDMOS，超结MOSFET的导通电阻远小，适用于高能效和高功率密度的快速开关应用。此外，超结MOSFET的额定电压越高，导通电阻的下降越明显，使其在中低功率水平下的高速运行非常适合。充电器芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PW电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。充电器芯片U8621主要功能如下： 1、系统启动和静态电流充电器芯片U8621的启动电流低至10uA，启动; 阅读（27）标签：

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