超精简的快充方案芯片TB6818
一、概述
快充电源方案TB6818是一颗电流模式PWM控制芯片，内置 650V高压功率MOSFET，应用于功率在18W以内的方案。
在 PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。
快充电源方案TB6818在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。
快充电源方案TB6818采用了抖频技术，能够有效系统的 EMI性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。
快充电源方案TB6818内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP）， VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的系统的EMI特性和开关的软启动控制。
二、特点
1.全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW
2.内置650V 高压功率管
3.4ms软启动用来减少MOSFET 上Vds的应力
4.抖频功能，EMI性能
5.跳频模式，轻载效率，减小待机功耗
6.无噪声工作
7.固定65KHz开关频率
8.内置同步斜坡补偿
9.低启动电流，低工作电流
10.内置前沿消隐(LEB)功能
11.过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）
12.VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD电压箝位，过温保护（OTP）
快充电源方案TB6818是一颗电流模式PWM控制芯片，内置 650V高压功率MOSFET，应用于功率在18W以内的方案。
在 PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。
快充电源方案TB6818在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。
快充电源方案TB6818采用了抖频技术，能够有效系统的 EMI性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。
快充电源方案TB6818内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP）， VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的系统的EMI特性和开关的软启动控制。
二、特点
1.全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW
2.内置650V 高压功率管
3.4ms软启动用来减少MOSFET 上Vds的应力
4.抖频功能，EMI性能
5.跳频模式，轻载效率，减小待机功耗
6.无噪声工作
7.固定65KHz开关频率
8.内置同步斜坡补偿
9.低启动电流，低工作电流
10.内置前沿消隐(LEB)功能
11.过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）
12.VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD电压箝位，过温保护（OTP）
13.SOP8无铅封装
电 话：133-1680-5165 Q Q：1957650001
传 真：0755-23086550 邮 箱：001@elanpo.com
地址：广东省深圳市宝安区宝安大道4018号华丰国际商务大厦2501-2508
银联宝手机
招贤纳士
