好消息！深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U872XAHE系列，规格书升级，新增料号U8727AHE，封装形式ESOP-7，集成MOS耐压700V，推荐最大输出功率100W！
氮化镓电源芯片U8727AHE特性：
&集成高压E-GaN
&集成高压启动功能
&超低启动和工作电流，待机功耗<30mW
&谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)
&集成EMI优化技术
&驱动电流分档配置
&集成Boost供电电路
&集成完备的保护功能：
VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)
输出过压/欠压保护(DEM OVP/UVP)
输入过压/欠压保护(LOVP /BOP)
片内过热保护(OTP)
逐周期电流限制(OCP)
异常过流保护(AOCP)
短路保护(SCP)
过载保护(OLP)
前沿消隐(LEB)
CS管脚开路保护
&封装类型ESOP-7
氮化镓电源芯片U8727AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8727AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。
氮化镓电源芯片U8727AHE系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。
氮化镓电源芯片U8727AHE管脚：
1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
2 FB I 系统反馈输入管脚
3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
4 VDD P 芯片供电管脚
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
6 GND P 芯片参考地
7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚