氮化镓器件开关频率升级，同步整流芯片需具备高速响应能力，确保高频工况下精准控制同步整流管的开通与关断时。同步整流芯片U7106应用在氮化镓电源芯片U8766中可显著减少功率损耗，提升转换效率！
同步整流芯片U7106是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7106内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。
同步整流芯片U7106特性：
1.内置 100V 6mΩ MOSFET
2.支持反激、有源钳位反激拓扑
3.支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式
4.集成 180V 高耐压检测电路和高压供电电路，无需VDD辅助绕组供电
5.支持宽范围输出电压应用，特别适用于支持QC、PD 等协议的快充领域
6.支持 High Side 和 Low Side 配置
7.<30ns 开通和关断延时
8.智能开通检测功能防止误开通
9.智能过零检测功能
10.启动前 Gate 智能钳位
同步整流芯片U7106搭载氮化镓电源芯片U8766，可以做65W快充方案。
氮化镓电源芯片U8766集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8766通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。
氮化镓电源芯片U8766的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。