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同步整流IC U7612时刻保持稳健运营

2024-03-14 11:00:05 

满足客户高端高功率密度的要求,深圳银联宝科技推出的同步整流ICU7612,在提高效率的同时,也能够极大地帮助瞬态负载调节,而且拥有更加稳定的控制环路特性提高了传统降压转换器,以及所有其他能够使用同步整流的拓扑结构的动态性。

同步整流ICU7612是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关,可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7612内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电可稳定工作,系统上支持High SideLowSide配置,兼顾了系统性能和成本。

同步整流ICU7612PCB 设计建议:

1. 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。

2. VDD 电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容,尽量紧靠ICLoop2的面积尽可能小。

3. HV Drain建议串联30~200Ω的电阻,推荐典型值100Ω。HV检测点位置对CCM应力有影响,HV检测点离Drain引脚越远,CCM应力越小。High Side配置中,建议HV通过R2电阻连接到输出电容的正端。

4. R1C1构成同步整流开关的RC吸收电路,RC吸收回路Loop3的面积可能小。

5. Drain 引脚的PCB散热面积尽可能大。

6.SOP-8的封装框架与Drain引脚电位相同,芯片切筋后,框架金属有少量暴露,考虑到绝缘要求,外围元器件应与IC本体保持0.2mm以上的绝缘距离。

VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值3.8V)之前,同步整流ICU7612处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到VDD_ON之后,芯片启动,内部控制电路开始工作,副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF (典型值 3.5V) 后,芯片关机,副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。

同步整流技术就是采用低导通电阻的功率MOS管代替开关变换器快恢复二极管,起整流管的作用,从而达到降低整流损耗,提高效率的目的。搜索深圳银联宝科技,可获取更多同步整流IC及解决方案!

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