同步整流ic的开通关断机制核心依赖于漏源电压的精确检测，以实现高效整流并避免共通故障等风险。其电压关系具体体现在开通和关断阈值的设计上，确保MOSFET在适当时机导通或截止，从而取代传统二极管以降低损耗。
同步整流icU7606是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7606内部集成有智能开通检测功能，可以有效防止反激电路中由于寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通，提高了系统效率及可靠性。
变压器副边续流阶段开始时，同步整流内置MOSFET的沟道处于关闭状态，副边电流Is经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。当负向Vds电压小于同步整流icU7606内置MOSFET开启检测阈值Vth_on(典型值-140mV)，经过开通延迟Td_on (典型值20ns)，内置MOSFET的沟道开通。
在同步整流内置MOSFET导通期间，同步整流ic U7606采样MOSFET漏-源两端电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_off(典型值 0mV)，经过关断延迟Td_off(典型值 15ns)，内置MOSFET的沟道关断。
PCB设计对同步整流的性能会产生显著影响，同步整流icU7606设计同步整流电路时建议参考以下的内容。
1、副边主功率回路 Loop1的面积尽可能小。
2、VDD 电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容，尽量紧靠IC，Loop2的面积尽可能小。
3、R1和C1构成同步整流开关的RC吸收电路，RC吸收回路 Loop3 的面积可能小。
同步整流icU7606通过电压阈值检测和智能延时管理来优化性能，同时内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本，以最大化电源转换效率！