每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
银联宝科技MOS管AP2300是一款采用结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET，采用的沟漕道工艺制做，导通阻低RDS(ON) ，开关速度快，低开启电压Vgs，带ESD保护，稳定性好，具有很高的EAS均匀性。
MOS管AP2300的特点及优势：
1.低FOM(Rdson*Qg)高雪崩耐量，100%经过EAS测试
2.低反向恢复电荷，低反向恢复峰值电流
3.抗静电能力
4.符合ROHS标准
MOS管AP2300的产品应用：
1.各类锂电池保护模块
2.手机、平板电脑等便携式数码产品电源管理
3.LED TV等消费电子产品电源
4.电动交通工具控制器
5.不间断电源，逆变器和各类电力电源
6.LED照明
