芯片替代方案在选型时，需要选择比原芯片参数更多或一样的芯片。如果封装能做到pin to pin，则无需更改PCB设计，否则就要重新设计PCB板，替换的步骤和成本将高许多。如果产品更新换代的速度较快，在选型时就要考虑芯片的可升级性，为以后的长远效益做打算。深圳银联宝科技新推出的PD 40W氮化镓快充电源方案U8725AHE+U7110W，正被采用替代市面上常见的一些料号，感兴趣的小伙伴可以多多了解一下！
氮化镓快充芯片U8725AHE集成了高压启动功能。如图所示，在启动阶段，U8725AHE通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON(典型值12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA)，小电流充电，可以降低VDD引脚对地短路时的芯片功耗。当VDD电压超过3V时，充电电流增加到IHV2 (典型值 4.7mA)，以缩短启动时间，随VDD电压升高，充电电流逐渐减小。当VDD电压降到VVDD_REG(典型值 9V)时，高压供电电路再次开启，以维持VDD电压。但是，如果低钳位供电状态持续时间超过80ms，并且系统工作在非轻载模式时，芯片将触发保护。当芯片触发保护状态时，系统停止打驱动，高压供电电路开启，维持VDD电压在VVDD_REG_ST (典型值 12V)。
氮化镓快充芯片U8725AHE脚位说明：
1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
2 FB I 系统反馈输入管脚
3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
4 VDD P 芯片供电管脚
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
6 GND P 芯片参考地
7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚
同步整流芯片U7110W采用ASOP-6封装，脚位说明：
1 HV I 漏极检测引脚。HV 到 Drain 建议串联 30~200Ω 的电阻，推荐典型值 100Ω
2 VDD P IC 供电引脚，VDD 到 GND 建议放置一个 1μF 的贴片陶瓷电容
3、4、5GND G IC 参考地
6 Drain P 内置功率 MOSFET 漏极
同步整流芯片U7110W是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7110W内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。U7110W的快速关断功能可以帮助功率 器件获得较低的电压应力，可支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。U7110W内部集成有智能的开通检测功能，可以有效防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通。
深圳银联宝科技深耕行业多年，产品的可靠性、稳定性、应用技术支持和生态都在不断的提升，大量氮化镓快充电源方案被市场验证和认可，原厂直供，可帮助客户快速降低成本，提高竞争优势！