准谐振芯片广泛应用于便携式设备、快充产品、USB-PD充电器等领域，特别是在高功率密度、低功耗的设计中表现出色。许多准谐振芯片集成了驱动电路、保护电路等功能，减少了外围元件的数量，简化了系统设计。今日推荐：深圳银联宝科技集成E-GaN的高频高性能准谐振模式PD快充icU8726AHE！
■ 高压启动
PD快充icU8726AHE集成了高压启动功能。如图所示，在启动阶段， U8726AHE通过芯片DRAIN脚对VDD充电， 当VDD电压达到VVDD_ON( 典型值12V) 时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。如图所示，在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA)，小电流充电，可以降低VDD引脚对地短路时的芯片功耗。当VDD电压超过3V时，充电电流增加到IHV2 (典型值 4.7mA)，以缩短启动时间，随VDD电压升高，充电电流逐渐减小。当VDD电压降到VVDD_REG (典型值 9V)时，高压供电电路再次开启，以维持VDD电压。但是，如果低钳位供电状态持续时间超过80ms，并且系统工作在非轻载模式时，芯片将触发保护。当芯片触发保护状态时，系统停止打驱动，高压供电电路开启，维持VDD电压在VVDD_REG_ST(典型值 12V)。
■ 集成 E-GaN 和驱动电流分档功能
PD快充icU8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。U8726AHE系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。
PD快充icU8726AHE的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost 供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景！