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可提高电源效率的同步整流ic U7718

2023-04-20 10:29:53 

同步整流可提高效率,同时也能够极大地帮助瞬态负载调节。它为电源预加载提供了一种高效的方法。另外,相比摆动电感,它还拥有更加稳定的控制环路特性。同步整流icU7718是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的低成本高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。有兴趣的小伙伴可以多了解下!

U7718

同步整流icU7718支持High SideLow Side配置,同时支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。内置VDD高压供电模块,无需VDD辅助绕阻供电简化了外围电路降低系统成本。U7718内部集成智能开通检测功能,可以有效防止断续工作模式(DCM)中由于Vds振荡引起的SR误开通。

在原边MOSFET导通期间,同步整流ic U7718内部7.1V稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电,以使VDD电压恒定在7.1V左右。基于高频解偶和供电考滤,推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。

变压器副边续流阶段开始时,同步整流MOSFET处于关闭状态,副边电流经MOSFET体二极管实现续流,同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于同步整流icU7718内部MOSFET开启检测阈值, 故经过开通延迟(典型值200nS)后内部MOSFET开通在同步整流MOSFET导通期间U7718采样MOSFET-源两端电压 (Vds)。当Vds电压高于MOSFET 关断阈值(典型值-6mV),内部MOSFET将在关断延迟(Td_off,约60ns)后被关断

同步整流icU7718管脚功能描述:

123 GND P IC 参考地,同时也是内部功率 MOSFET 的源极

4 VDD P IC 供电脚,

5678 Drain I 内置功率 MOSFET 漏极

在内部同步整流MOSFET开通瞬间,芯片漏-(Drain-Source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作,芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在LEB时间(约1.12us)内,关断比较器被屏蔽,无法关断内部同步整流MOSFET,直至消隐时间结束。

同步整流icU7718方案能满足客户高效适配器反激变换器充电器的应用,使得电源设计尽可能达到最优化。方案简单有效,成本经济可控,更多实惠请致电400-778-5088

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