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开关电源芯片U6113可平衡质量和价格

2023-08-21 15:06:45 

随着开关电源芯片用量越来越多,技术方面也日趋成熟。同时随着对成本要求越来越高,技术质量和价格的平衡需要满足。如何寻找低成本、高效率的开关电源芯片?不妨来看看深圳银联宝科技的这颗开关电源芯片U6113

开关电源芯片U6113在同一块晶元上同时集成了高压功率MOSFET和控制器。U6113内部高度集成的高精度恒流控制电路和完备的保护功能使其适用于LED照明的应用中,是带有准谐振式的降压型功率开关器。在40V LED输出电压下175~265VAC120mA85~265VAC100mA60V LED输出电压下:175~265VAC100mA85~265VAC90mA

5.8V 稳压器

开关电源芯片U6113芯片内部,只要当内部高压MOSFET关断时,5.8V的稳压器就会从芯片的Drain管脚端抽取一定的电流给VDD电容充电至5.8V;再当内部高压MOSFET导通的时候,5.8V稳压器则停止工作而芯片靠VDD电容提供供电以正常运行。由于芯片的工作电流超低,所以利用从芯片Drain管脚抽取的电流足以使其连续稳定地工作。通常情况下,建议使用1uFVDD电容用以滤除高频噪声和作为芯片供电。

电流过零检测(无需辅助绕组)

为了保证系统工作在准谐振模式下,开关电源芯片U6113利用检测流经内部高压MOSFET漏极和门极间寄生的米勒电容Crss的电流实现电流过零点的检测。当电感电流续流到零后,电感和高压MOSFET的输出电容开始谐振过程。此过程中MOSFETDrain端电压开始下降 ,同时会有一由地到MOSFET Drain端的负向电流流经Crss电容。反之,当MOFET关断Drain端电压上升时,会有一正向电流流经Crss电容。

逐周期电流限制和前沿消隐

开关电源芯片U6113CS管脚作为芯片的参考地,同时也用来检测电感电流峰值。当MOSFET 导通时,VDD管脚和CS管脚之间的差分电压开始下降,当此差分电压大于峰值电流基准 500mVMOSFET关断。为了避免MOSFET导通瞬间的噪声引起错误检测,芯片设计有典型值为500ns的前沿消隐时间,在此时间内逐周期电流限制比较器停止工作且MOSFET不允许关断。

开关电源芯片U6113设计的软驱动结构的驱动电路优化了系统的EMI性能,工作电流典型值为140uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求,同时也可以帮助系统获得更高的效率。可靠的性能,加上低成本,是一颗值得考虑的优质开关电源芯片!

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