全电压电源支持AC85-265V宽幅电压，可覆盖绝对大部分国家和地区的电网标准，避免因电压不匹配导致设备损坏或无法使用的问题。且适用于各类电子设备，尤其适合出口产品或跨区域使用的场景，提升产品适用范围。今天推荐的E-GaN电源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B，就是一款高效低耗的全电压电源应用方案，体验好，成本低！
E-GaN电源芯片U8722BAS特点：
●集成高压E-GaN
●集成高压启动功能
●超低启动和工作电流，待机功耗<30mW
●谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)
●集成EMI优化技术
●驱动电流分档配置
●集成Boost供电电路
●集成完备的保护功能：
VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)
输出过压保护(OVP)
输入欠压保护(BOP)
片内过热保护(OTP)
逐周期电流限制(OCP)
异常过流保护(AOCP)
短路保护(SCP)
过载保护(OLP)
过流保护（SOCP）
前沿消隐(LEB)
CS管脚开路保护
●封装类型ASOP7-T4
同步整流芯片U7612B特点：
●内置60V MOSFET
●支持DCM、QR和CCM工作模式
●集成高压供电电路，无需VDD辅助绕组供电
●支持宽范围输出电压应用，特别适用于支持QC、PD 等协议的快充领域
●支持High Side和Low Side配置
●<30ns开通和关断延时
●智能开通检测功能防止误开通
●智能过零检测功能
●启动前Gate智能钳位
●封装类型SOP-8
同步整流芯片U7612B PCB设计建议：
1) 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。
2) VDD 电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容，尽量紧靠IC，Loop2的面积尽可能小。
3) HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。HV检测点位置对CCM应力有影响，HV检测点离Drain引脚越远，CCM应力越小。High Side配置中，建议HV通过R2电阻连接到输出电容的正端。
4) R1和C1构成同步整流开关的RC吸收电路，RC吸收回路Loop3的面积可能小。
5) Drain 引脚的PCB散热面积尽可能大。
6) SOP-8的封装框架与Drain引脚电位相同，芯片切筋后，框架金属有少量暴露，考虑到绝缘要求，外围元器件应与IC本体保持0.2mm以上的绝缘距离。
深圳银联宝这款E-GaN电源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B全电压应用方案，无需针对不同电压设计多种电源型号，降低厂商生产及仓储成本，简化供应链管理，可使收益最大化，推荐给有需要的小伙伴们！