氮化镓快充芯片U8722SP封装形式升级调整为SOP-8，集成完备的保护功能：VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(DEM UVP)、输入过压保护(LOVP)、输入欠压保护(BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护(OLP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。
氮化镓快充芯片U8722SP管脚说明：
1 GND P 芯片参考地
2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
3 FB I 系统反馈输入管脚
4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
6 VDD P 芯片供电管脚
7 NC /
8 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚
氮化镓快充芯片U8722SP集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722SP通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。
氮化镓快充芯片U8722SP系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。U8722SP+同步整流芯片-U7715A+协议XPD317单压认证款氮化镓电源应用方案，正火热上市中，欢迎前来咨询，索取相关资料！