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33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8733+U7612B

2025-05-12 14:49:28 

由于芯片结构的改变,超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低,超结MOS具有极低的内阻,在相同的芯片面积下,超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻,能降低损耗,减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8733+U7612B,可显著提升产品的易用性和效率!

U8733+U7612B 33W 正面

电源管理芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片,内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOSU8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于输入电压AC90V-264V的输出功率为22.5 W以内的离线式反激开关变换器,满足VI级能效标准。U8623采用SOP-8并采用单边漏极并联封装增加散热效果。

电源管理芯片U8623特征:

1)固定 65K 赫兹的开关频率

2)内置抖频技术优化EMI

3)根据负载大小自适应多种工作模式包括打嗝模式、绿色节能模式和定频PWM工作模式

4)内置斜率补偿的峰值电流控制方式

5)内置过流点补偿优化宽输入电压范围内最大输出功率的一致性

6)内置前沿消隐技术

7)低空载待机功耗(<65mW@AC230V

8)支持恒压、恒功率、恒温输出

9)内置软启动技术

10)内置集成多种自保护功能,包括VCC欠压保护功能(UVLOVCC过压保护功能(OVP逐周期限流功能(OCP恒温输出功能(OTP-LCS引脚开路保护功能

同步整流芯片U7612B是一款带快速关断功能的高性能副边同步整流功率开关,可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7612B内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电可稳定工作,系统上支持High SideLow Side配置,兼顾了系统性能和成本。U7612B的快速关断功能可以帮助功率器件获得较低的电压应力,可支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。其内部集成有智能的开通检测功能,可以有效防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通。

同步整流芯片U7612B内部集成有智能开通检测功能,可以有效防止反激电路中由于寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通,提高了系统效率及可靠性。电源管理芯片U8623具备恒功率输出模式,当FB脚电平大于3.7V以后,芯片PWM占空比由CS引脚电平对应的VOCP来控制,为保证在AC90V-264V输入范围内的恒功率性能,对VOCP值根据占空比进行补偿。

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