30W快充应用同步整流icU711X推荐应用范围：U7116，输出电压3~21V，输出电流≤3A；U7110，输出电压3~21V，输出电流≤4A，是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U711X内部集成有智能开通检测功能，可以有效防止反激电路中由于寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通，提高了系统效率及可靠性！
同步整流icU711X在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值3.8V)之前，芯片处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到VDD_ON之后，芯片启动，内部控制电路开始工作，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF (典型值 3.5V)后，芯片关机，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。
变压器副边续流阶段开始时，同步整流内置MOSFET的沟道处于关闭状态，副边电流Is经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。当负向Vds电压小于同步整流icU711X内置MOSFET开启检测阈值Vth_on (典型值-220mV)，经过开通延迟Td_on (典型值25ns)，内置MOSFET的沟道开通。在同步整流内置MOSFET导通期间，U711X采样MOSFET 漏-源两端电压 (Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_of f (典型值 0mV)，经过关断延迟Td_of f (典型值 22ns)，内置MOSFET的沟道关断。
同步整流icU711X管脚描述：
1 HV I 漏极检测引脚。HV 到 Drain 建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值 100Ω
2 VDD P IC 供电引脚，VDD 到 GND 建议放置一个1μF的贴片陶瓷电容
3, 4 GND G IC 参考地
5,6,7,8 Drain P 内置功率 MOSFET 漏极
同步整流icU711X内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。U711X的快速关断功能可以帮助功率器件获得较低的电压应力，可支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR) 及连续工作模式 (CCM)。U711X内部集成有智能的开通检测功能， 可以有效防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通。