充电器和适配器等快充设备，需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，集成高压启动、功率器件和保护电路，省去外部Boost/Buck电路及分立元件，缩小PCB面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路，支持宽电压输出，切莫错过！
PD快充芯片U8725AHE主要特性：
1.集成 高压 E-GaN
2.集成高压启动功能
3.超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW
4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)
5.集成 EMI 优化技术
6.驱动电流分档配置
7.集成 Boost 供电电路
8.集成完备的保护功能：
VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)
输出过压/欠压保护 (DEM OVP/UVP)
输入过压/欠压保护 (LOVP /BOP)
片内过热保护 (OTP)
逐周期电流限制 (OCP)
异常过流保护 (AOCP)
短路保护 (SCP)
过载保护 (OLP)
前沿消隐 (LEB)
CS 管脚开路保护
9.封装类型 ESOP-7
针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。PD快充芯片U8725AHE集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时，Boost电路启动工作，维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10.1V)，当输出电压升高，辅助绕组电压高于VBOOST_REG时，Boost电路停止工作，VDD由辅助绕组供电。
PD快充芯片U8725AHE引脚说明：
1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
2 FB I 系统反馈输入管脚
3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
4 VDD P 芯片供电管脚
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
6 GND P 芯片参考地
7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚
深圳银联宝科技这款20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，通过高集成设计、动态功率稳定、谷底锁定及降频工作模式等高效能表现，显著优化了系统体积、可靠性和能效，成为快充设备电源芯片方案的理想选择！